挑战 ASML，俄罗斯公布国产极紫外光刻设备长期路线图
据 Tom's Hardware 报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（由德米特里・库兹涅佐夫披露）公布了一项国产极紫外（EUV）光刻设备的长期路线图，该设备工作波长为 11.2 纳米，是对该机构去年 12 月披露信息的补充与延伸。新项目周期始于 2026 年，
紫外光
约翰霍普金斯大学的突破可能会使微芯片比以往任何时候都更小
半导体制造业迎来颠覆性技术突破。约翰·霍普金斯大学领导的国际研究团队开发出革命性的化学液体沉积工艺，成功利用金属有机材料制造出肉眼不可见的超微芯片，这一成就有望打破当前10纳米制程的技术壁垒，为未来十年内实现更小尺寸、更高性能的微芯片奠定基础。这项发表在《自然
台积电开拓新业务
台积电正在将其位于新竹科学园区的已停产的旧8英寸晶圆厂3号晶圆厂重新利用，用于生产极紫外光防护薄膜（extreme ultraviolet pellicles），并将该生产流程移至内部。